Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.32€
5-49
0.27€
50-99
0.23€
100-199
0.20€
200+
0.17€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 164

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: não. Condicionamento: -. Custo): 4pF. Diodo CE: não. FT: 30 MHz. Função: Pré-amplificador HI-FI de baixo ruído. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 200. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Tipo de transistor: NPN. Unidade de condicionamento: 2000. Vcbo: 50V. Vebo: 4.5V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N5210
24 parâmetros
Corrente do coletor
100mA
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-92
Tensão do coletor/emissor Vceo
50V
BE diodo
não
Custo)
4pF
Diodo CE
não
FT
30 MHz
Função
Pré-amplificador HI-FI de baixo ruído
Ganho máximo de hFE
600
Ganho mínimo de hFE
200
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.625W
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
0.7V
Tipo de transistor
NPN
Unidade de condicionamento
2000
Vcbo
50V
Vebo
4.5V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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