Transistor NPN 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V

Transistor NPN 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V

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1-4
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5-24
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Transistor NPN 2N2219A, TO-39 ( TO-205 ), 800mA, 0.8A, TO-39, 40V. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Corrente do coletor: 0.8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: não. C (pol.): 25pF. Carcaça (padrão JEDEC): TO-39. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente do coletor Ic [A]: 800mA. Custo): 8pF. Diodo CE: não. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. FT: 300 MHz. Família de componentes: transistor NPN. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Frequência: 250MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Marcação do fabricante: 2N2219A. Material semicondutor: silício. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Polaridade: bipolar. Potência: 800mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +200°C.. Tensão (colecionador - emissor): 60V. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante: Cdil. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:37

Documentação técnica (PDF)
2N2219A
38 parâmetros
Carcaça
TO-39 ( TO-205 )
Corrente do coletor Ic [A], máx.
800mA
Corrente do coletor
0.8A
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-39
Tensão do coletor/emissor Vceo
40V
BE diodo
não
C (pol.)
25pF
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-39
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente do coletor Ic [A]
800mA
Custo)
8pF
Diodo CE
não
Dissipação máxima Ptot [W]
0.8W
FT
300 MHz
Família de componentes
transistor NPN
Frequência de corte ft [MHz]
300 MHz
Frequência
250MHz
Ganho máximo de hFE
300
Ganho mínimo de hFE
100
Marcação do fabricante
2N2219A
Material semicondutor
silício
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.8W
Polaridade
bipolar
Potência
800mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+200°C.
Tensão (colecionador - emissor)
60V
Tensão coletor-emissor Uceo [V]
40V
Tensão de saturação VCE(sat)
0.3V
Tensão máxima de saturação VCE (sat)
1V
Tipo de transistor
NPN
Vcbo
75V
Vebo
6V
Produto original do fabricante
Cdil