Transistor MOSFET FDS8958B. C (pol.): 760pF. Carcaça: SO. Custo): 155pF. Função: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. IDss (min): 1uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Tipo de canal: N-P. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41