Transistor de canal P STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 80A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 5500pF. Custo): 1130pF. DI (T=100°C): 57A. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Função: -. Id(im): 320A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: STripFETTM II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Sgs Thomson. Quantidade em estoque atualizada em 15/02/2026, 12:28