Transistor de canal P STD10P6F6, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, -60V, 10A, 10uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 14 ns. C (pol.): 340pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 340pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.16 Ohms @ -10A. Custo): 40pF. DI (T=100°C): 7.2A. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Função: circuitos de comutação. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -10A. IDss (min): 1uA. Id(im): 40A. Marcação do fabricante: 10P6F6. Marcação na caixa: 10P6F6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 64 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Baixa carga de porta STRipFET™ II Power MOSFET. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 64 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54