Transistor de canal P SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=25°C): 18.7A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 230pF. Custo): 95pF. DI (T=100°C): 13.2A. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: Modo de aprimoramento com classificação dv/dt. IDss (min): 0.1uA. Id(im): 74.8A. Marcação na caixa: 18P06P. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.102 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 81W. Proteção GS: diodo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.7V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 05:54