Transistor de canal P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 10nA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 600pF. Custo): 70pF. DI (T=100°C): 3.8A. Diodo Trr (mín.): 30 ns. IDss (min): 1nA. Id(im): 30A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.2W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30