Transistor de canal P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.1A. Idss (máx.): 7.1A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. DI (T=100°C): 5.7A. Diodo Trr (mín.): 60 ns. IDss (min): 1uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 2. RoHS: sim. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Tipo de canal: P. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:07