Transistor de canal P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 8.8A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Função: Transistor MOSFET de canal P. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: D-S-MOSFET. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30