Transistor de canal P SI4435BDY, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. DI (T=100°C): 5.6A. Diodo Trr (mín.): 60 ns. IDss (min): 1uA. Id(im): 50A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30