Transistor de canal P SI3441BD, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. DI (T=25°C): 2.45A. Idss (máx.): 5nA. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): TSOP-6. Tensão Vds(máx.): 20V. DI (T=100°C): 1.95A. Diodo Trr (mín.): 50 ns. IDss (min): 1nA. Id(im): 16A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 6. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1nA. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 0.45V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:30