Transistor de canal P SI2333DDS-T1-GE3, SOT-23, -12V. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1275pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -6A. Marcação do fabricante: O4. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 26 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 20:56