Transistor de canal P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V

Transistor de canal P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V

Quantidade
Preço unitário
1-4
16.72€
5-9
15.77€
10-24
14.76€
25+
13.74€
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Transistor de canal P RJP63F4A, TO-220FP, TO-220F, 630V. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 630V. C (pol.): 1250pF. Corrente do coletor: 40A. Custo): 40pF. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Ic(pulso): 200A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tipo de canal: P. Produto original do fabricante: Panasonic. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 10:40

Documentação técnica (PDF)
RJP63F4A
23 parâmetros
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão do coletor/emissor Vceo
630V
C (pol.)
1250pF
Corrente do coletor
40A
Custo)
40pF
Diodo CE
não
Diodo de germânio
não
Ic(pulso)
200A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
30W
RoHS
sim
Spec info
Panasonic--TX-P50VT20EA
Td(desligado)
50 ns
Td(ligado)
20 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão de saturação VCE(sat)
1.7V
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
2.5V
Tensão porta/emissor VGE(th)máx.
5V
Tensão porta/emissor VGE
30 v
Tipo de canal
P
Produto original do fabricante
Panasonic