Transistor de canal P NDS332P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: SSOT. Habitação (conforme ficha técnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 195pF. Custo): 105pF. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Id(im): 10A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 8 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:01