Transistor de canal P NDS0610, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. DI (T=25°C): 0.12A. Idss (máx.): 200uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 79pF. Custo): 10pF. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Função: Interruptor de sinal pequeno de canal P controlado por tensão, design de célula de alta densidade para baixo RDS (ON). IDss (min): 1uA. Id(im): 1A. Marcação na caixa: 610. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD 610. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 1.3 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 2.5 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 5. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:01