Transistor de canal P MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V
Quantidade
Preço unitário
1-99
1.27€
100+
0.75€
| Quantidade em estoque: 3054 |
Transistor de canal P MMBFJ177LT1G, SOT-23, -30V. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Família de componentes: Transistor JFET de canal P. Marcação do fabricante: 6Y. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:06
MMBFJ177LT1G
12 parâmetros
Carcaça
SOT-23
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
-30V
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V
-20mA
Dissipação máxima Ptot [W]
0.225W
Família de componentes
Transistor JFET de canal P
Marcação do fabricante
6Y
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V
+2.5V @ -15V
Produto original do fabricante
Onsemi (fairchild)