Transistor de canal P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

Transistor de canal P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.38€
5-49
0.32€
50-99
0.28€
100-199
0.26€
200+
0.22€
Quantidade em estoque: 2750

Transistor de canal P MMBFJ177, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 20mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 25V. Condicionamento: rolo. IDss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Marcação na caixa: 6Y. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD 6Y. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.8V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. Unidade de condicionamento: 3000. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MMBFJ177
22 parâmetros
Idss (máx.)
20mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão Vds(máx.)
25V
Condicionamento
rolo
IDss (min)
1.5mA
IGF
50mA
Marcação na caixa
6Y
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD 6Y
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
225mW
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Tecnologia
P-Channel Switch
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte (desligada) máx.
2.5V
Tensão porta/fonte (desligada) mín.
0.8V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
JFET
Unidade de condicionamento
3000
Produto original do fabricante
ON Semiconductor