Transistor de canal P MMBFJ175, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (máx.): 60mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 11pF. Condicionamento: rolo. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Marcação na caixa: 6W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD 6W. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 6V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. Unidade de condicionamento: 3000. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37