Transistor de canal P MMBF5461, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Transistor de canal P MMBF5461, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.22€
5-49
0.18€
50-99
0.15€
100-499
0.13€
500+
0.11€
Quantidade em estoque: 1998

Transistor de canal P MMBF5461, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (máx.): 9mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 5pF. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 61U. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 61U. Tecnologia: J-FET Ampl.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. Vgs(th) mín.: 7.5V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 18:37

Documentação técnica (PDF)
MMBF5461
23 parâmetros
Idss (máx.)
9mA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão Vds(máx.)
40V
C (pol.)
5pF
IDss (min)
2mA
IGF
10mA
Marcação na caixa
61U
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
225mW
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
não
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
serigrafia/código SMD 61U
Tecnologia
J-FET Ampl.
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
4.5V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
JFET
Vgs(th) mín.
7.5V
Produto original do fabricante
Fairchild