Transistor de canal P IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Transistor de canal P IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
27.92€
5-9
26.59€
10-19
25.01€
20+
23.58€
Quantidade em estoque: 22

Transistor de canal P IXTK90P20P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 12pF. Custo): 2210pF. DI (T=100°C): -. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Função: P-Channel Enhancement Mode. IDss (min): 50uA. Id(im): 270A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 890W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 89 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: PolarPTM Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: IXYS. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
IXTK90P20P
28 parâmetros
DI (T=25°C)
90A
Idss (máx.)
250uA
Carcaça
TO-264 ( TOP-3L )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-264
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
12pF
Custo)
2210pF
Diodo Trr (mín.)
315 ns
Função
P-Channel Enhancement Mode
IDss (min)
50uA
Id(im)
270A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.044 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
890W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
89 ns
Td(ligado)
32 ns
Tecnologia
PolarPTM Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
IXYS