Transistor de canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Transistor de canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
0.33€
5-49
0.24€
50-99
0.21€
100+
0.19€
Quantidade em estoque: 245

Transistor de canal P IRLML5203, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 510pF. Custo): 71pF. DI (T=100°C): 2.4A. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Função: Ultra Low On-Resistance. IDss (min): 1uA. Id(im): 24A. Marcação na caixa: H. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD H. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.098 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.25W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 19:38

Documentação técnica (PDF)
IRLML5203
32 parâmetros
DI (T=25°C)
3A
Idss (máx.)
5uA
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Tensão Vds(máx.)
30 v
C (pol.)
510pF
Custo)
71pF
DI (T=100°C)
2.4A
Diodo Trr (mín.)
17 ns
Função
Ultra Low On-Resistance
IDss (min)
1uA
Id(im)
24A
Marcação na caixa
H
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD H
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.098 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
1.25W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
52 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.5V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
International Rectifier