Transistor de canal P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V

Transistor de canal P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V

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1-4
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Transistor de canal P IRFU9024, TO-251 ( I-Pak ), 8.8A, 500uA, TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 500uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 570pF. Cobrar: 19nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: -8.8A, -5.6A. Custo): 360pF. DI (T=100°C): 5.6A. Diodo Trr (mín.): 100 ns. IDss (min): 100uA. Id(im): 35A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. Polaridade: unipolar. Potência: 42W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: -60V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 21:11

Documentação técnica (PDF)
IRFU9024
37 parâmetros
Carcaça
TO-251 ( I-Pak )
DI (T=25°C)
8.8A
Idss (máx.)
500uA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-251AA ( I-PAK )
Tensão Vds(máx.)
60V
C (pol.)
570pF
Cobrar
19nC
Condicionamento
tubus
Corrente de drenagem
-8.8A, -5.6A
Custo)
360pF
DI (T=100°C)
5.6A
Diodo Trr (mín.)
100 ns
IDss (min)
100uA
Id(im)
35A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.28 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
42W
Polaridade
unipolar
Potência
42W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
Resistência no estado
0.28 Ohms
RoHS
sim
Td(desligado)
15 ns
Td(ligado)
13 ns
Tecnologia
HEXFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão da fonte de drenagem
-60V
Tensão de fonte de porta
±20V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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