Transistor de canal P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

Transistor de canal P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.15€
5-24
0.97€
25-49
0.85€
50-99
0.82€
100+
0.62€
Quantidade em estoque: 87

Transistor de canal P IRFR9220, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK ( TO-252AA ). Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 340pF. Custo): 110pF. DI (T=100°C): 2.3A. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. IDss (min): 100uA. Id(im): 14A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 7.3 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFR9220
27 parâmetros
DI (T=25°C)
3.6A
Idss (máx.)
500uA
Habitação (conforme ficha técnica)
D-PAK ( TO-252AA )
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
340pF
Custo)
110pF
DI (T=100°C)
2.3A
Diodo Trr (mín.)
150 ns
Função
relação dv/dt dinâmica, comutação rápida
IDss (min)
100uA
Id(im)
14A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
On-resistência Rds On
1.5 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
42W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
7.3 ns
Td(ligado)
8.8 ns
Tecnologia
Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/emissor VGE(th) min.
2V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Produto original do fabricante
International Rectifier