Transistor de canal P IRFR9120N, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. DI (T=100°C): 4.2A. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 26A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45