Transistor de canal P IRFR5305PBF, TO252AA, DPAK. Carcaça: TO252AA, DPAK. Cobrar: 42nC. Corrente de drenagem: -31A. Montagem/instalação: SMD. Polaridade: unipolar. Potência: 89W. Resistência térmica da habitação: 1.4K/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: -55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tipo de transistor: P-MOSFET, HEXFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 23:15