Transistor de canal P IRFP9240PBF, TO247, -200V, 12A, -200V

Transistor de canal P IRFP9240PBF, TO247, -200V, 12A, -200V

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Transistor de canal P IRFP9240PBF, TO247, -200V, 12A, -200V. Carcaça: TO247. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -200V. Corrente máxima de drenagem: 12A. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Características: -. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -12A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 12A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRFP9240PBF. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.5 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Polaridade: MOSFET P. Potência: 150W. RoHS: sim. Série: IRFP. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Tensão de condução: 10V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de canal: P. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Vdss (dreno para tensão da fonte): -200V. Produto original do fabricante: Vishay (ir). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:06

Documentação técnica (PDF)
IRFP9240PBF
30 parâmetros
Carcaça
TO247
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
-200V
Corrente máxima de drenagem
12A
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
-200V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
39 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
1200pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.5 Ohms @ -7.2A
Dissipação máxima Ptot [W]
150W
Família de componentes
MOSFET, P-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
-12A
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
12A
Marcação do fabricante
IRFP9240PBF
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.5 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
150W
Polaridade
MOSFET P
Potência
150W
RoHS
sim
Série
IRFP
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
14 ns
Tensão de condução
10V
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
-4V
Tensão porta/fonte Vgs max
-20V
Tipo de canal
P
Tipo de montagem
THT
Tipo de transistor
transistor de potência MOSFET
Vdss (dreno para tensão da fonte)
-200V
Produto original do fabricante
Vishay (ir)