Transistor de canal P IRFP9140N, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V

Transistor de canal P IRFP9140N, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.51€
5-24
2.18€
25-49
1.93€
50-99
1.75€
100+
1.51€
Quantidade em estoque: 25

Transistor de canal P IRFP9140N, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250mA. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1300pF. Custo): 400pF. DI (T=100°C): 16A. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25mA. Id(im): 76A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:45

Documentação técnica (PDF)
IRFP9140N
30 parâmetros
DI (T=25°C)
23A
Idss (máx.)
250mA
Carcaça
TO-247
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-247AC
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
1300pF
Custo)
400pF
DI (T=100°C)
16A
Diodo Trr (mín.)
150 ns
Função
Comutação de alta velocidade
IDss (min)
25mA
Id(im)
76A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.117 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
140W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
51 ns
Td(ligado)
15 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier