Transistor de canal P IRFL9110, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 200pF. Custo): 94pF. DI (T=100°C): 0.69A. Diodo Trr (mín.): 80 ns. IDss (min): 100uA. Id(im): 8.8A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 02:51