Transistor de canal P IRFD9220, DIP, 0.56A, 0.56A, DH-1 house, DIP-4, 200V. Carcaça: DIP. DI (T=25°C): 0.56A. Idss (máx.): 0.56A. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 200V. Cobrar: 15nC. Corrente de drenagem: -600mA, -0.36A. DI (T=100°C): 0.34A. Função: Transistor MOSFET de canal P. Marcação do fabricante: IRFD9220PBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Polaridade: unipolar. Potência: 1W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão da fonte de drenagem: -200V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: P-MOSFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43