Transistor de canal P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V
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Transistor de canal P IRFD9120, DIP, 0.1A, 0.1A, DH-1 house, DIP-4, 100V. Carcaça: DIP. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V. Cobrar: 18nC. Corrente de drenagem: -1A, -0.7A. DI (T=100°C): 0.6A. Função: Transistor MOSFET de canal P. Marcação do fabricante: IRFD9120PBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Polaridade: unipolar. Potência: 1.3W. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão da fonte de drenagem: -100V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: P-MOSFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43