Transistor de canal P IRFD9014, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 270pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 170pF. DI (T=100°C): 0.8A. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Função: Transistor MOSFET de canal P. IDss (min): 100uA. Id(im): 8.8A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: FET. Unidade de condicionamento: 100dB. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43