Transistor de canal P IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V

Transistor de canal P IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V

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1.51€
Quantidade em estoque: 231

Transistor de canal P IRF9Z34NSPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 620pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 68W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -19A. Marcação do fabricante: F9Z34NS. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27

Documentação técnica (PDF)
IRF9Z34NSPBF
17 parâmetros
Carcaça
D²-PAK
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-263
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
-55V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
30 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
620pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.1 Ohms @ -10A
Dissipação máxima Ptot [W]
68W
Família de componentes
MOSFET, P-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
-19A
Marcação do fabricante
F9Z34NS
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
13 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
-4V
Produto original do fabricante
International Rectifier