Transistor de canal P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V

Transistor de canal P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V

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Transistor de canal P IRF9Z34NPBF, TO-220AB, -55V, 17A, -55V. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -55V. Corrente máxima de drenagem: 17A. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 620pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Dissipação máxima Ptot [W]: 68W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -19A. Marcação do fabricante: IRF9Z34NPBF. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Potência: 56W. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:06

Documentação técnica (PDF)
IRF9Z34NPBF
22 parâmetros
Carcaça
TO-220AB
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
-55V
Corrente máxima de drenagem
17A
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
-55V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
30 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
620pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.1 Ohms @ -10A
Dissipação máxima Ptot [W]
68W
Família de componentes
MOSFET, P-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
-19A
Marcação do fabricante
IRF9Z34NPBF
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.10 Ohms
Potência
56W
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
13 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
-4V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
transistor de potência MOSFET
Produto original do fabricante
International Rectifier