Transistor de canal P IRF9Z34N, TO-220, 19A, 250uA, TO-220AB, 55V. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 620pF. Cobrar: 23.3nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: -19A. Custo): 280pF. DI (T=100°C): 14A. Diodo Trr (mín.): 54ms. Função: Transistor MOSFET de canal P. IDss (min): 25uA. Id(im): 68A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. Polaridade: unipolar. Potência: 68W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 100M Ohms. Resistência térmica da habitação: 1.73K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão da fonte de drenagem: -55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43