Transistor de canal P IRF9Z24NPBF, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. DI (T=100°C): 8.5A. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 25uA. Id(im): 48A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43