Transistor de canal P IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 500uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 700pF. Cobrar: 29nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: -6.5A, -4A. Custo): 200pF. DI (T=100°C): 4A. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 100uA. Id(im): 26A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. Polaridade: unipolar. Potência: 74W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 0.8 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: -200V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43