Transistor de canal P IRF9622, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. DI (T=100°C): 1.5A. Função: Transistor MOSFET de canal P. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. On-resistência Rds On: 2.4 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Harris. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43