Transistor de canal P IRF9620, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V

Transistor de canal P IRF9620, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.34€
5-24
1.16€
25-49
1.04€
50-99
0.95€
100+
0.80€
Quantidade em estoque: 39

Transistor de canal P IRF9620, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 350pF. Custo): 100pF. DI (T=100°C): 2A. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Função: Transistor MOSFET de canal P. IDss (min): 100uA. Id(im): 14A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

Documentação técnica (PDF)
IRF9620
31 parâmetros
DI (T=25°C)
3.5A
Idss (máx.)
500uA
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
350pF
Custo)
100pF
DI (T=100°C)
2A
Diodo Trr (mín.)
300 ns
Função
Transistor MOSFET de canal P
IDss (min)
100uA
Id(im)
14A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
1.5 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
40W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Comutação de alta velocidade
Td(desligado)
20 ns
Td(ligado)
15 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier