Transistor de canal P IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 170pF. Cobrar: 11nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: -1A, -1.75A. Custo): 50pF. DI (T=100°C): 1A. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 100uA. Id(im): 7A. Marcação do fabricante: IRF9610PBF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Polaridade: unipolar. Potência: 20W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. Resistência no estado: 3 Ohms. RoHS: sim. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: -200V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43