Transistor de canal P IRF9540, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor de canal P IRF9540, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.69€
5-24
1.43€
25-49
1.25€
50-99
1.14€
100+
0.98€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 136

Transistor de canal P IRF9540, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1400pF. Custo): 590pF. DI (T=100°C): 13A. Diodo Trr (mín.): 130 ns. IDss (min): 100uA. Id(im): 72A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

Documentação técnica (PDF)
IRF9540
29 parâmetros
DI (T=25°C)
19A
Idss (máx.)
500uA
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
1400pF
Custo)
590pF
DI (T=100°C)
13A
Diodo Trr (mín.)
130 ns
IDss (min)
100uA
Id(im)
72A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
On-resistência Rds On
0.20 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
150W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
34 ns
Td(ligado)
16 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier

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