Transistor de canal P IRF9530, TO-220, 12A, 500uA, TO-220AB, 100V. Carcaça: TO-220. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 860pF. Cobrar: 38.7nC. Condicionamento: tubus. Corrente de drenagem: -14A. Custo): 340pF. DI (T=100°C): 8.2A. Diodo Trr (mín.): 120ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 100uA. Id(im): 48A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. Polaridade: unipolar. Potência: 79W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Resistência térmica da habitação: 1.9K/W. RoHS: sim. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão da fonte de drenagem: -100V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43