Transistor de canal P IRF9520PBF, TO-220AB, -100V. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 390pF. Características: -. Cobrar: 18nC. Condicionamento: tubus. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Corrente de drenagem: -4.8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -6.8A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 6A. Informação: -. MSL: -. Marcação do fabricante: IRF9520PBF. Montagem/instalação: THT. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Polaridade: unipolar. Potência: 60W. Resistência no estado: 0.6 Ohms. RoHS: sim. Série: -. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.6 ns. Tensão da fonte de drenagem: -100V. Tensão de condução: 10V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tensão porta/fonte Vgs max: -20V. Tipo de montagem: THT. Tipo de transistor: P-MOSFET. Vdss (dreno para tensão da fonte): -100V. Produto original do fabricante: Vishay (ir). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:38