Transistor de canal P IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V

Transistor de canal P IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V

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Transistor de canal P IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V. Corrente máxima de drenagem: 6A. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 28 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -6.8A. Marcação do fabricante: IRF9520. Número de terminais: 3. Potência: 40W. RoHS: sim. Temperatura máxima: +175°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:42

Documentação técnica (PDF)
IRF9520NPBF
21 parâmetros
Carcaça
TO-220AB
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
-100V
Corrente máxima de drenagem
6A
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
-100V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
28 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
350pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.48 Ohms @ -4A
Dissipação máxima Ptot [W]
48W
Família de componentes
MOSFET, P-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
-6.8A
Marcação do fabricante
IRF9520
Número de terminais
3
Potência
40W
RoHS
sim
Temperatura máxima
+175°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
14 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
-4V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
transistor de potência MOSFET
Produto original do fabricante
International Rectifier