Transistor de canal P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor de canal P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.64€
5-24
1.46€
25-49
1.36€
50-94
1.19€
95+
1.01€
Quantidade em estoque: 59

Transistor de canal P IRF9310, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 150uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. DI (T=100°C): 7.1A. Função: circuitos de comutação de laptop. IDss (min): 1uA. Id(im): 160A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.039 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: sim. Proteção contra fonte de drenagem: não. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

Documentação técnica (PDF)
IRF9310
26 parâmetros
DI (T=25°C)
20A
Idss (máx.)
150uA
Carcaça
SO
Habitação (conforme ficha técnica)
SO-8
Tensão Vds(máx.)
30 v
DI (T=100°C)
7.1A
Função
circuitos de comutação de laptop
IDss (min)
1uA
Id(im)
160A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
On-resistência Rds On
0.039 Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
2.5W
Proteção GS
sim
Proteção contra fonte de drenagem
não
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
65 ns
Td(ligado)
25 ns
Tecnologia
Transistor MOSFET de potência HEXFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2.4V
Vgs(th) mín.
1.3V
Produto original do fabricante
International Rectifier