Transistor de canal P IRF9240, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V

Transistor de canal P IRF9240, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V

Quantidade
Preço unitário
1-2
21.23€
3-4
20.22€
5-9
18.05€
10+
17.07€
Quantidade em estoque: 25

Transistor de canal P IRF9240, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V. DI (T=25°C): 11A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1200pF. Custo): 570pF. DI (T=100°C): 7A. Diodo Trr (mín.): 270ms. IDss (min): 25uA. Id(im): 44A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 2. On-resistência Rds On: 50m Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: HEXFET. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43

Documentação técnica (PDF)
IRF9240
30 parâmetros
DI (T=25°C)
11A
Idss
25uA
Idss (máx.)
250uA
Carcaça
TO-3 ( TO-204 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3 ( TO-204AA )
Tensão Vds(máx.)
200V
C (pol.)
1200pF
Custo)
570pF
DI (T=100°C)
7A
Diodo Trr (mín.)
270ms
IDss (min)
25uA
Id(im)
44A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
2
On-resistência Rds On
50m Ohms
Pd (dissipação de energia, máx.)
125W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo Zener
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
HEXFET
Td(desligado)
85 ns
Td(ligado)
38 ns
Tecnologia
V-MOS
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
P
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
International Rectifier