Transistor de canal P IRF7424TRPBF, SO8, -30V

Transistor de canal P IRF7424TRPBF, SO8, -30V

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1-99
2.11€
100+
1.34€
Quantidade em estoque: 2553

Transistor de canal P IRF7424TRPBF, SO8, -30V. Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 150 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4030pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -11A. Marcação do fabricante: F7424. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.04V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:24

Documentação técnica (PDF)
IRF7424TRPBF
16 parâmetros
Carcaça
SO8
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
-30V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
150 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
4030pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0035 Ohms @ -11A
Dissipação máxima Ptot [W]
2.5W
Família de componentes
MOSFET, P-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
-11A
Marcação do fabricante
F7424
Número de terminais
8:1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
15 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
-2.04V
Produto original do fabricante
International Rectifier