Transistor de canal P IRF7416, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 25uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1700pF. Custo): 890pF. DI (T=100°C): 7.1A. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Função: Ultra Low On-Resistance. IDss (min): 1uA. Id(im): 45A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 59 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.04V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43