Transistor de canal P IRF7342PBF, SO8, -55V. Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 690pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: -3.4A. Marcação do fabricante: F7342. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:45