Transistor de canal P IRF7342, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Cobrar: 26nC. Corrente de drenagem: -3.4A. Equivalentes: IRF7342PBF. Função: IDM--27Ap. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Polaridade: unipolar. Potência: 2W. Quantidade por caixa: 2. Resistência térmica: 62.5K/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão da fonte de drenagem: -55V. Tensão de fonte de porta: 20V, ±20V. Tipo de canal: P. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 07:43