Transistor de canal P IRF7314, SO, SO-8
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Transistor de canal P IRF7314, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Cobrar: 19nC. Corrente de drenagem: -5.3A. Função: Transistor MOSFET de canal P. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Polaridade: unipolar. Potência: 2W. Quantidade por caixa: 2. Resistência térmica: 62.5K/W. RoHS: sim. Tecnologia: HEXFET®. Tensão da fonte de drenagem: -20V. Tensão de fonte de porta: 12V, ±12V. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:27
IRF7314
16 parâmetros
Carcaça
SO
Habitação (conforme ficha técnica)
SO-8
Cobrar
19nC
Corrente de drenagem
-5.3A
Função
Transistor MOSFET de canal P
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
8:1
Polaridade
unipolar
Potência
2W
Quantidade por caixa
2
Resistência térmica
62.5K/W
RoHS
sim
Tecnologia
HEXFET®
Tensão da fonte de drenagem
-20V
Tensão de fonte de porta
12V, ±12V
Produto original do fabricante
International Rectifier